王守武（1919.3.15—2014.7.30），江蘇蘇州人，半導體器件物理學家，中國科學院學部委員（院士）。1945年赴美國普渡大學深造，1946年獲碩士學位，1949年獲博士學位。1950年歸國。1960年加入中國共產(chǎn)黨。曾任中國科學院半導體研究所副所長（兼任109廠廠長）、微電子研究所名譽所長。曾榮獲國家科技進步獎二等獎，多次獲得中國科學院科研成果一等獎和科技進步獎二等獎，以及何梁何利基金科學與技術(shù)進步獎。

王守武是我國半導體研究的“拓荒者”、半導體事業(yè)的奠基者之一。他在研究與開發(fā)中國半導體材料、半導體器件及大規(guī)模集成電路方面作出了重要貢獻，是我國第一臺單晶爐、第一根鍺單晶、第一只鍺晶體管、第一只激光器的研制者與組織領(lǐng)導者。他的這些成就，為我國半導體科技事業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。

留學美國，后以“難民”身份回國

少年時期的王守武，正值國家風雨飄搖之際，戰(zhàn)爭的陰霾與民生的疾苦深深觸動了他。1930年，年僅11歲的他在《民智》第11期上發(fā)表《我們現(xiàn)在和將來的責任》，字字鏗鏘，呼喚“諸位朋友，你們要救中國……還愿將來努力救國、努力富國、努力強國”，不僅映照出那個時代青年學子的共同心聲，更展現(xiàn)了他個人的壯志凌云，那就是求得真學問，用所學救國、富國、強國。1945年，王守武赴美普渡大學攻讀工程力學，碩士畢業(yè)后繼續(xù)深造，于1949年2月獲博士學位，并應(yīng)普渡大學工程力學系主任之聘任土木系助教。在攻讀博士期間，他于1948年5月與同窗葛修懷女士喜結(jié)連理?；楹?，王守武家成為普渡大學中國留學生交流祖國近況的聚集地，鄧稼先便是?？椭弧Ｍ瑫r，作為芝加哥中國留美科學工作者協(xié)會普渡分會的干事，鄧稼先積極傳播國內(nèi)信息，動員留學生回國建設(shè)。受鄧稼先影響，王守武也頻繁參與留美科協(xié)活動，并計劃回國參加建設(shè)，貢獻自己的力量。

1950年，隨著朝鮮戰(zhàn)爭的爆發(fā)，中美之間關(guān)系趨于嚴峻緊張。面對局勢，王守武毅然放棄教職回國，決定用所學去建設(shè)自己的祖國。然而，當時中美尚未建立正式外交關(guān)系，護照辦理遭遇難題。后來，他通過留美科學工作者協(xié)會得知，印度駐美使館受新中國政府委托處理中美民間事務(wù)。

1950年7月，王守武以“回鄉(xiāng)侍奉孤寡母親”為由，以二哥王守融來信為證，通過印度駐美使館協(xié)助，辦理了以難民身份回國的相關(guān)手續(xù)。9月，王守武夫婦滿懷報國熱情與科學夢想，抱著未滿周歲的女兒，搭乘“威爾遜總統(tǒng)號”客輪從舊金山啟程回國。10月，抵達香港，經(jīng)轉(zhuǎn)深圳，回到蘇州。在王守武一家的行李中，有幾個沉甸甸的箱子，里面裝滿了工具和零部件，包括變壓器、電鉆、萬用電表等。王守武回憶說，“1950年回國的時候，我沒有什么打算，只是覺得新中國剛成立，想為國家建設(shè)做點貢獻。……干什么都可以，什么都能干”。

披荊斬棘，受命拓荒半導體研究

王守武回國初期即敏銳洞察到國際半導體科學的新動態(tài)，預(yù)言“半導體放大器的進一步發(fā)展將全面地革新電子學設(shè)備的面貌，在國民經(jīng)濟上的意義極為重大”。20世紀50年代，全球半導體產(chǎn)業(yè)方興未艾，中國尚屬空白。1956年，王守武與其他上千名科學家，共同參加周恩來總理親自主持的“全國十二年科學技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃的討論會”。在討論階段，王守武與施汝為、黃昆等科學家力陳發(fā)展半導體科學技術(shù)的重要性及其對我國工農(nóng)業(yè)和國防的重大意義。后來，《1956—1967年科學技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃》將半導體科學技術(shù)列為四項緊急措施之一。中國科學院迅速響應(yīng)，成立我國首個半導體研究室，并任命王守武為主任，開啟了我國半導體研究的先河。

接受任務(wù)后，王守武當即中斷其他科研項目，全身心投入半導體研究的拓荒工作。他不僅通過科學報告會等形式積極普及半導體知識，強調(diào)其在國民經(jīng)濟中的關(guān)鍵作用，還親自參與并指導實驗，推動研究深入。從1956年至1960年，半導體研究室在王守武的帶領(lǐng)下取得了顯著成果：成功研制出我國首根鍺單晶、合金結(jié)鍺晶體管、金鍵二極管，并實現(xiàn)了鍺單晶的實用化。同時，還拉制出我國第一根硅單晶，并推動其實用化進程。此外，還成功研制出我國首支鍺合金擴散高頻晶體管，為科技發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。

原中國科學院黨組書記、副院長張勁夫在回憶時談到：“……第二代計算機出來了，晶體管的，科學院半導體所搞的。從美國回來搞半導體材料的林蘭英和科學家王守武、工程師王守覺兩兄弟，是他們做的工作。第二代計算機，每秒數(shù)十萬次，為氫彈的研制作了貢獻。”

1960年，受命籌建中國科學院半導體研究所，半導體研究所正式成立后被任命為副所長，負責全所科技業(yè)務(wù)管理和分支學科的組建工作。1962年，美國用砷化鎵半導體材料制成了第一只激光器，在世界上產(chǎn)生了廣泛而深遠的影響。王守武敏銳地抓住時機，開始組織半導體所向這一方向進行探索。1963年，他組建了半導體激光器研究室，先后領(lǐng)導并參與了中國第一臺半導體激光器的研制，實現(xiàn)半導體激光器的連續(xù)激射，并開展半導體負阻激光器以及激光應(yīng)用的研究工作，為我國在這個領(lǐng)域的技術(shù)進步奠定了基礎(chǔ)。

掛帥攻克集成電路成品率難關(guān)

集成電路，即通常所說的“芯片”，是將電路所需的晶體管、二極管、電阻、電容等元件集成在微小半導體硅片上的電子器件。1964年，中國半導體所成功研制出首批集成電路，但至20世紀70年代，我國在該領(lǐng)域的研制與生產(chǎn)已遠落后于國際水平。彼時，國內(nèi)僅少數(shù)單位能仿制出每片近千位的大規(guī)模集成電路樣品，且成品率極低，難以投入實際生產(chǎn)。

面對這一嚴峻挑戰(zhàn)，1977年鄧小平在全國自然科學學科規(guī)劃會議上明確提出：“一定要把大規(guī)模集成電路搞上去”。響應(yīng)中央號召，中國科學院隨即展開深入研究，然而進展緩慢，半導體所超凈線團隊雖全力以赴，4千位大規(guī)模集成電路的成品率問題仍未得到有效解決。鑒于此，1978年10月，中國科學院決定邀請王守武全面負責提升集成電路成品率的任務(wù)，以期在這一關(guān)鍵領(lǐng)域取得突破。

王守武上任后重新組織人員，調(diào)來了包括吳德馨在內(nèi)的一批技術(shù)骨干，著手分析成品率低的原因。從穩(wěn)定工藝入手，組織研究人員逐一改進、穩(wěn)定設(shè)備。然后對使用的原材料和試劑進行分析提純，以達到可使用的指標。最后，建立了一套操作規(guī)程和管理制度，并要求嚴格執(zhí)行。到1979年9月，他們做出的三種版圖的大規(guī)模集成電路樣品的成品率都提高到了20%以上，達到了預(yù)定目標。該項研究為解決我國大規(guī)模集成電路管芯成品率問題提供了寶貴經(jīng)驗，于1980年獲得中國科學院科技成果獎一等獎。

王守武后來兼任中國科學院109工廠廠長職務(wù)，開展4千位大規(guī)模集成電路的推廣工作，從事提高成品率、降低成本的集成電路大生產(chǎn)試驗。他大膽采用最新工藝和無顯影光刻技術(shù)，以一個電視機用的集成電路品種進行流片試生產(chǎn)，一次就取得了芯片成品率達50%以上的可喜成果，比國內(nèi)其他研制單位的成品率高出三四倍。這一成就贏得了1985年中國科學院科技進步獎二等獎，后被授予國家級科技進步獎。1987年，王守武憑借深厚的專業(yè)底蘊與前瞻視野，提出的“世界新技術(shù)革命和我國的對策”榮獲國家科學技術(shù)進步獎二等獎。1990年，王守武在給政協(xié)第七屆全國委員會第三次會議提案時指出，“要想發(fā)展我國的微電子工業(yè)，光靠引進是不行的”“想從西方國家引進先進的微電子技術(shù)和裝備純屬幻想”“我們必須以自力更生為主來加速發(fā)展我國的微電子工業(yè)”。這些建議彰顯了他的遠見卓識，以及對國家科技自立自強的擔當和情懷。

王守武不僅致力于科研創(chuàng)新，還兼任多所高校的重要職務(wù)，深切關(guān)愛后輩，為中國半導體與集成電路事業(yè)培養(yǎng)了大量杰出人才。

“半世紀半導體從無到有半生精力獻祖國，一輩子一個勁日以繼夜一往追求無止境，一生間勤奮耕耘滿腹智慧眾人稱，八十年清風飛渡世上榮辱從不爭。”這是弟弟王守覺院士在王守武八十歲生日時題寫的賀詞。它深刻描繪了王守武為我國半導體科學事業(yè)奮斗一生的歷程，也是他對黨、國家、人民和科學事業(yè)無限忠誠的生動寫照。